產(chǎn)品列表 / products
靜電產(chǎn)生的原因：
常用物品的摩擦起電序列：
下表中越靠左側(cè)的物品，越易產(chǎn)生負電荷；反之，越靠右側(cè)的物品，越易產(chǎn)生正電荷。亦即，在序列中距離越遠的物品之間相互接觸分離或摩擦，產(chǎn)生的靜電電位就越高。
(-) |
| (+) | ||||||||||||
| 聚 | 金 | 銀 | 銅 | 硬 | 棉 | 紙 | 鋁 | 羊 | 尼 | 人 | 玻 | 人 |
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典型的靜電電壓： |
靜電電荷源 | 測得的電壓（V） | |
10%--20%RH | 65%--90%RH | |
走過地毯 | 35000 | 1500 |
在聚烯烴類塑料地面行走 | 12000 | 250 |
工作臺旁操作的工人 | 6000 | 100 |
翻動聚乙烯膜封皮的說明書 | 7000 | 600 |
從工作臺拾起普通聚乙烯袋 | 20000 | 1200 |
墊有聚氨酯泡沫的工作椅 | 18000 | 1500 |
2．靜電在工業(yè)生產(chǎn)中造成的危害
靜電的產(chǎn)生在工業(yè)生產(chǎn)中是不可避免的，其造成的危害主要可歸結(jié)為以下兩種機理：
其一：靜電放電（ESD）造成的危害：
（1） 引起電子設(shè)備的故障或誤動作，造成電磁干擾。
（2） 擊穿集成電路和精密的電子元件，或者促使元件老化，降低生產(chǎn)成品率。
（3） 高壓靜電放電造成電擊，危及人身安全。
（4） 在多易燃易爆品或粉塵、油霧的生產(chǎn)場所極易引起爆炸和火災。
其二，靜電引力（ESA）造成的危害：
（1） 電子工業(yè)：吸附灰塵，造成集成電路和半導體元件的污染，大大降低成品率。
（2） 膠片和塑料工業(yè)：使膠片或薄膜收卷不齊；膠片、CD塑盤沾染灰塵，影響品質(zhì)。
（3） 造紙印刷工業(yè)：紙張收卷不齊，套印不準，吸污嚴重，甚至紙張黏結(jié)，影響生產(chǎn)。
（4） 紡織工業(yè)：造成根絲飄動、纏花斷頭、紗線糾結(jié)等危害。
靜電的危害有目共睹，現(xiàn)在越來越多的廠家已經(jīng)開始實施各種程度的防靜電措施和工程。但是，要認識到，完善有效的防靜電工程要依照不同企業(yè)和不同作業(yè)對象的實際情況，制定相應(yīng)的對策。防靜電措施應(yīng)是系統(tǒng)的、全面的，否則，可能會事倍功半，甚至造成破壞性的反作用。
靜電放電(ESD)控制大綱要求 |
| 控制大綱計劃 | 分級 | 設(shè)計保護(不包括零件設(shè)計) | 保護區(qū) | 保護罩 | 操作程序 | 培訓 | 硬件標記 | 文件 | 包裝 | 質(zhì)量保證規(guī)定檢查和評定 | 失敗分析 |
設(shè)計 |
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生產(chǎn) |
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檢查和試驗 |
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貯存和運輸 |
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安裝 |
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維護和修理 |
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注:" | ||||||||||||
美國聯(lián)邦標準FS209的空氣潔凈度級別 |
級別名稱 | 0.1um | 0.2um | 0.3um | 0.5um | 5um | |
容積單位 | 容積單位 | 容積單位 | 容積單位 | 容積單位 | ||
單位 | 英制單位 | (m3)(ft3) | (m3)(ft3) | (m3)(ft3) | (m3) (ft3) | (m3) (ft3) |
M1.5 | 1 | 1240 35.3 | 265 7.50 | 106 3.00 | 35.3 1.00 | ....... |
M2.5 | 10 | 1240 350 | 26500 750 | 1060 30.0 | 353 10.0 | ....... |
M3.5 | 100 | ... ... | 26500 750 | 10600 300 | 3530 100 | ....... |
M4.5 | 1000 | ... ... | ... ... | ... ... | 35300 100 | 247.7 7.00 |
M5.5 | 10000 | ... ... | ... ... | ... ... | 353000 1000 | 2470 70.0 |
M6.5 | 100000 | ... ... | ... ... | ... ... | 3530000 100000 | 247000 700 |
氣載微業(yè)潔凈等級（ISO 14644-1） |
ISO Classification Number | Maxlmum Concentrationlimit(particles/M3of air) | |||||
0.1um | 0.2um | 0.3um | 0.5um | 1um | 5um | |
ISI01 | 10 | 2 |
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ISI02 | 100 | 24 | 10 | 4 |
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ISI03 | 1,000 | 237 | 102 | 35 |
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ISI04 | 10,000 | 2,370 | 1020 | 352 | 83 |
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ISI05 | 100,000 | 237,000 | 10,2000 | 3,520 | 832 | 29 |
ISI06 | 1,000,000 | 237,000 | 102,000 | 35,5200 | 8,320 | 293 |
ISI07 |
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| 352,000 | 83,200 | 2,930 |
ISI08 |
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| 3,520,000 | 832,000 | 29,300 |
ISI09 |
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| 35,200,000 | 8,320,000 | 293,000 |
一些器件型的靜電敏感電壓值 |
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VMOS | 30-1800 | 運算放電器 | 190-2500 |
MOSEET | 100-200 | JEFT | 140-1000 |
GaAsFET | 100-300 | SCL | 680-1000 |
PROM | 100 | STTL | 300-2500 |
CMOS | 250-2000 | DTL | 380-7000 |
HMOS | 50-500 | 肖特基二極管 | 300-3000 |
E/DMOS | 200-1000 | 雙極型晶件管 | 380-7000 |
ECL | 300-2500 | 石英壓電晶體器件 | <10000 |
人體靜電電擊界限 |
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靜電電位，靜電電容與還電體積蓄能量的關(guān)系曲線 |
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